Дослідження можливості збудження ультразвукови х-радіальних коливань у пластинах кремнію
dc.contributor.author | Оліх, Ярослав. | |
dc.contributor.author | Деміденко, Олексій | |
dc.contributor.author | Лисюк, Ігор | |
dc.contributor.author | Романюк, Борис | |
dc.date.accessioned | 2016-02-16T10:13:46Z | |
dc.date.available | 2016-02-16T10:13:46Z | |
dc.date.issued | 2004 | |
dc.description | To describe radial waves in system consisted of thin disks a new theoretical approach of compound resonator has been proposed. The approach has been verified experimentally for compound resonator made from silicon (lll)-cut and piezoelectric disks. The approach can be used to determine resonance frequencies of compound resonator and distribution of displacement and stresses in semiconductor wafers. | en |
dc.description.abstract | Запропоновано теоретичну модель складеного резонатора з пластини кремнію (І11)-зрізу і п'єзокераміки ЦТС-19 для опису збудження радіальних коливань у системі тонких дисків. Модель експериментальна перевірена. Результати методики розрахунку можуть бути використані для знаходження резонансних частот складеного резонатора, розподілу пружних зміщень і напругу напівпровідникових дисках | uk |
dc.identifier.citation | Дослідження можливості збудження ультразвукових радіальних коливань у пластинах кремнію / Я. М. Оліх, О. А. Деміденко, І. О. Лисюк, Б. М. Романюк // Наукові записки НаУКМА. - 2004. - Т. 23 : Фізико-математичні науки. - С. 53-58. | uk |
dc.identifier.uri | https://ekmair.ukma.edu.ua/handle/123456789/8358 | |
dc.language.iso | uk | uk |
dc.relation.source | Наукові записки НаУКМА: Фізико-математичні науки | uk |
dc.status | published earlier | uk |
dc.subject | кремній | uk |
dc.subject | х-радіальне коливання | uk |
dc.subject | низькотемпературний спосіб | uk |
dc.subject | радіальне коливання | uk |
dc.title | Дослідження можливості збудження ультразвукови х-радіальних коливань у пластинах кремнію | uk |
dc.title.alternative | Research of excitation possibility of radial ultrasonic vibrations in silicon wafers | en |
dc.type | Article | uk |
Files
Original bundle
1 - 1 of 1
Loading...
- Name:
- Olikh_Doslidzhennya_mozhlyvosti_zbudzhennya.pdf
- Size:
- 360.08 KB
- Format:
- Adobe Portable Document Format
- Description:
License bundle
1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
- Name:
- license.txt
- Size:
- 7.54 KB
- Format:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Description: