(2005) Баранський, Петро; Гайдар, Галина; Литовченко, Петро
У статті зосереджується увага на аналізі реальних умов, які виникають на межі підкладинки
й епітаксійно нарощуваного шару. Аналіз проводиться з урахуванням того, що підкладинки, при
готовлені навіть з найкраще освоєних матеріалів, до яких, безумовно, можна віднести об'ємні,
бездислокаційні й нелеговані зонновирощені (FZ) монокристали кремнію, неминуче мають у своєму
об'ємі мікродефекти різної природи. Технологічні проблеми, що виникають при епітаксійному нарощуванні моно чи гетерошару на підкладинку, noв'язані з тим, що об 'ємні мікродефекти підкладинки
мають розміри в межах від одиниць до сотень нанометрів і їх слід (проекція) виходить, природно,
на актуальну для епітаксії поверхню, яка розділяє підкладинку з епітаксійно нарощуваним шаром.