Проведено дослідження електропровідності та поздовжнього магнітоопору легованих бором
мікрокристалів Si р-типу провідності в області фазового переходу метал—діелектрик (ПМД)
при накладанні деформації стиску до -4,59-10-3 відн. од. за низьких температур. Для мікрокристалів
Si з концентрацією бору, що відповідає наближенню до ПМД з діелектричного боку,
в яких за низьких температур під дією деформації стиску має місце стрибкова провідність,
виявлено від 'ємний магнітоопір, який за умови достатньо високих магнітних полів переходить
у додатний.