Структурна досконалість бездислокаційних нелегованих об'ємних монокристалів Si, призначених для підкладинок при епітаксійному вирощуванні напівпровідникових наноструктур

Simple item page
dc.contributor.authorБаранський, Петро
dc.contributor.authorГайдар, Галинаuk
dc.contributor.authorЛитовченко, Петроuk
dc.date.accessioned2016-01-26T14:42:46Z
dc.date.available2016-01-26T14:42:46Z
dc.date.issued2005
dc.descriptionThis report is devoted to the analysis of real conditions which exist at the boundary of a substrate and epitaxial grown films. The analysis is made taking into account the fact that substrates prepared from the best quality material, namely FZSi single crystals, have various microdefects of different nature inside their volume. Technological problems arising at the epitaxial growth of homo- or heterolayers on a substrate are caused by the existence of microdefects inside the bulk of the substrate with their dimensions lying in the range from few units to several hundreds of nm and their projections emerging from the bulk onto the surface which is actual for the epitaxy and which departs the substrate and epitaxial grown layer.en
dc.description.abstractУ статті зосереджується увага на аналізі реальних умов, які виникають на межі підкладинки й епітаксійно нарощуваного шару. Аналіз проводиться з урахуванням того, що підкладинки, при­ готовлені навіть з найкраще освоєних матеріалів, до яких, безумовно, можна віднести об'ємні, бездислокаційні й нелеговані зонновирощені (FZ) монокристали кремнію, неминуче мають у своєму об'ємі мікродефекти різної природи. Технологічні проблеми, що виникають при епітаксійному наро­щуванні моно чи гетерошару на підкладинку, noв'язані з тим, що об 'ємні мікродефекти підкладинки мають розміри в межах від одиниць до сотень нанометрів і їх слід (проекція) виходить, природно, на актуальну для епітаксії поверхню, яка розділяє підкладинку з епітаксійно нарощуваним шаром.uk
dc.identifier.citationБаранський Петро Іванович. Структурна досконалість бездислокаційних нелегованих об'ємних монокристалів Si, призначених для підкладинок при епітаксійному вирощуванні напівпровідникових наноструктур / Баранський П. І., Гайдар Г. П., Литовченко П. Г. // Наукові записки НаУКМА : Фізико-математичні науки. - 2005. - Т. 39. - С. 58-63.uk
dc.identifier.urihttps://ekmair.ukma.edu.ua/handle/123456789/8024
dc.language.isoukuk
dc.relation.sourceНаукові записки НаУКМА: Фізико-математичні наукиuk
dc.statuspublished earlieruk
dc.subjectепітаксія поверхніuk
dc.subjectнанометрuk
dc.subjectоб 'ємні мікродефекти підкладинкиuk
dc.titleСтруктурна досконалість бездислокаційних нелегованих об'ємних монокристалів Si, призначених для підкладинок при епітаксійному вирощуванні напівпровідникових наноструктурuk
dc.title.alternativeStructure perfection of dislocationless undoped bulk Si single crystals used as substrates for epitaxial growth of semiconductor nanostructuresen
dc.typeArticleuk
Files
Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
Baranskyi_Strukturna_doskonalist.pdf
Size:
345.95 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download
License bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
7.54 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description:
Download
Collections
039: Фізико-математичні науки