Механізми розсіювання носіїв заряду в антимоніді індію, легованому хромом, при Т=296 К
Loading...
Date
2015
Authors
Решитько, Борис
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Abstract
Використовуючи таблицi двопараметричних iнтегралiв Фермi та дослiдивши явища переносу, виконано розрахунок рухливостi носiїв заряду та диференцiальну термо-ЕРС у кристалах антимонiду iндiю,
легованих хромом, та проаналiзовано характер домiшкового розсiювання залежно вiд змiни вмiсту домiшки ((0,1÷0,25) ат. % Cr).
Description
Using the table two-parameter Fermi integrals and reviewed the transport phenomena. Calculation of carrier mobility and differential thermo-EMF in crystals of indium antimonide doped with chromium and analyzed the nature of the impurity scattering, depending on changes in the content of impurities ((0,1÷0,25) atm. % Cr).
Keywords
антимонiд iндiю, легування, механiзми розсiювання, рухливiсть носiїв заряду, стаття, indium antimonide, doping, scattering, charge carrier mobility
Citation
Решитько Б.А. Механізми розсіювання носіїв заряду в антимоніді індію, легованому хромом, при Т=296 К / Решитько Б. А. // Наукові записки НаУКМА. - 2015. - Т. 165 : Фізико-математичні науки. - С. 53-56.