Собенти на основі гідратованих змішаних оксидів: бінарні композити оксидів Al, Ti, Zr, TA, Sn з оксидом Mn
Loading...
Date
2006
Authors
Атаманюк, В.
Бондачук, В.
Пальчик, А
Тимків, О.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Abstract
Запропоновано золь-гель метод одержання змішаних оксидів алюмінію (III), титану (IV),
цирконію (IV) і олова (IV) з діоксидом марганцю й вивчено механізм формування цих бінарних
композитів. Визначено основні параметри пористої структури бінарних сорбентів (питому
поверхню, радіуси пор, загальний об'єм пор і об'єм мікропор). Виявлено, що синтезовані
сорбенти мають досить розвинену поверхню з перевагою мікропор. Одержано температурні
залежності питомої поверхні для цих сорбентів. Установлено інтервали термічної стійкості
й визначено оптимальні умови термічної обробки для одержання сорбентів із максимальною
питомою поверхнею.
Description
Mixed oxides contained manganese dioxide with alumina, titania, zirconia and tin dioxide were
synthesized by sol-gel techniques using solid potassium permanganate and aluminium, titanium, tin
chlorides, zirconyl chloride and titanium (III) sulphate as initial reagents. The mechanism of mixed
oxide formation is studied. The specific surface areas of the mixed oxides, pore volume, pore size
distribution data derived from nitrogen adsorption are obtained. The percentage of total micropore volume
was calculated. It is revealed, that the synthesized sorbents have enough developed surface area with
predominance of micropores. The temperature dependences of a specific surface area for these sorbents
are obtained. The intervals of thermal stability of these sorbents and optimum conditions of heat treatment
for deriving sorbents with a maximal specific surface area are determined.
Keywords
змішаний оксид, ізотерма адсорбції, термічна стрічка сорбентів
Citation
Собенти на основі гідратованих змішаних оксидів : бінарні композити оксидів Al, Ti, Zr, TA, Sn з оксидом Mn / В. Ю. Атаманюк ... [та ін.] // Наукові записки НаУКМА. - 2006. - Том 55 : Хімічні науки і технології. - С. 41-47.