Вплив упорядкування домішки на енергетичний спектр та електропровідність графену

Simple item page
dc.contributor.authorРепецький, Станіслав
dc.contributor.authorВишивана, Ірина
dc.contributor.authorКручинін, Сергій
dc.contributor.authorКузнєцова, Олена
dc.contributor.authorМельник, Руслан
dc.date.accessioned2020-10-01T19:57:19Z
dc.date.available2020-10-01T19:57:19Z
dc.date.issued2019
dc.description.abstractВ однозонній моделі сильного зв’язку досліджено вплив домішки заміщення на енергетичний спектр та електропровідність графену. Встанов- лено, що впорядкування атомів заміщення на вузлах кристалічної гратки приводить до виникнення щілини в енергетичному спектрі графену шириною η|δ| з центром в точці yδ, де η — параметр впорядкування, δ — різниця потенціалів розсіяння атомів домішки і вуглецю, y — концентрація домішки. Якщо рівень Фермі потрапляє в область зазначеної щілини, то при упорядкуванні графену електропровідність σαα → ∞, тобто виникає перехід метал–діелектрик. Якщо рівень Фермі лежить поза щілиною, то при збільшенні параметру порядку η електропровідність збільшується за законом σαα ∼ (y2 − (1/4)η2)−1. При концентрації y = 1/2 з впорядкуванням атомів домішки (η → 1) електропровідність графену σαα → ∞, тобто виникає перехід графену в стан ідеальної провідності. Досліджено області ло- калізації електронних домішкових станів, які виникають на краях спектру та краях енергетичної щілини.uk_UA
dc.description.abstractIn the one-band tight-binding model, the influence of substitutional impurities on the energy spectrum and electrical conductivity of graphene is studied. As determined, the ordering of substitutional impurity atoms on nodes of the crystal lattice causes the appearance of a gap in the energy spectrum of graphene with width η|δ| centred at the point yδ, where η is the parameter of ordering, δ is the difference of the scattering potentials of impurity and carbon atoms, and y is the impurity concentration. If the Fermi level falls in the region of the mentioned gap, then the electrical conductivity σαα → ∞ at the ordering of graphene, i.e., the metal–dielectric transition arises. If the Fermi level is located outside the gap, then the electrical conductivity increases with the parameter of order η by the relation σαα ∼ (y2 − (1/4)η2) −1. At the concentration y = 1/2, when the ordering of impurities η → 1, the electrical conductivity of graphene σαα → ∞, i.e., the transition of graphene in the state of ideal electrical conductance arises. The localization region of impurity electronic states, which arise at the edges of the spectrum and edges of the energy gap, is investigated.en_US
dc.description.abstractВ однозонной модели сильной связи исследовано влияние примеси замещения на энергетический спектр и электропроводность графена. Установлено, что упорядочение атомов замещения на узлах кристаллической решётки приводит к возникновению щели в энергетическом спектре графена шириной η|δ| с центром в точке yδ, где η — параметр упорядочения, δ — разность потенциалов рассеяния атомов примеси и углерода, y — концентрация примеси. Если уровень Ферми попадает в область указанной щели, то при упорядочении графена электропроводность σαα → ∞, т.е. возникает переход металл–диэлектрик. Если уровень Ферми находится вне щели, то при увеличении параметра порядка η электропроводность возрастает по закону σαα ∼ (y2 − (1/4)η2) −1 . При концентрации y = 1/2 с упорядочением атомов примеси (η → 1) электропроводность графена σαα → → ∞, т.е. графен переходит в состояние идеальной проводимости. Исследована область локализации электронных примесных состояний, которые возникают на краях спектра и энергетической щели.ru_RU
dc.identifier.citationВплив упорядкування домішки на енергетичний спектр та електропровідність графену / С. П. Репецький, І. Г. Вишивана, С. П. Кручинін, О. Я. Кузнєцова, Р. М. Мельник // Металофізика та новітні технології. - 2019. - Т. 41, Вип. 4. - С. 427-443.uk_UA
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.15407/mfint.41.04.0427
dc.identifier.urihttps://ekmair.ukma.edu.ua/handle/123456789/18071
dc.language.isoukuk_UA
dc.relation.sourceМеталофізика та новітні технології.uk_UA
dc.statusfirst publisheduk_UA
dc.subjectграфенuk_UA
dc.subjectенергетична щілинаuk_UA
dc.subjectгустина станівuk_UA
dc.subjectконцентрація домішкиuk_UA
dc.subjectпараметр впорядкуванняuk_UA
dc.subjectфункція Грінаuk_UA
dc.subjectперехід метал – діелектрикuk_UA
dc.subjectобласть локалізації електронних домішкових станівuk_UA
dc.subjectстаттяuk_UA
dc.subjectgrapheneen_US
dc.subjectenergy gapen_US
dc.subjectdensity of stateen_US
dc.subjectimpurity concentrationen_US
dc.subjectordering parameteren_US
dc.subjectGreen’s functionen_US
dc.subjectmetal–insulator transitionen_US
dc.subjectregion of localization of impurity electronic statesen_US
dc.subjectграфенru_RU
dc.subjectэнергетическая щельru_RU
dc.subjectконцентрация примесиru_RU
dc.subjectпараметр упорядоченияru_RU
dc.subjectфункция Гринаru_RU
dc.subjectпереход металл–диэлектрикru_RU
dc.subjectобласть локализации электронных примесных состоянийru_RU
dc.titleВплив упорядкування домішки на енергетичний спектр та електропровідність графенуuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Files
Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
Vplyv_uporiadkuvannia_domishky_na_enerhetychnyi_spektr_ta_elektroprovidnist_hrafenu.pdf
Size:
1.25 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download
License bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
7.54 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description:
Download
Collections
Кафедра фізико-математичних наук