Abstract:
Вивчено вплив високотемпературної обробки (ВТО) β інтервалі температур 650-1100 °С і повторної ВТО при 1150 °С на магнетну сприйнятливість і мікротвердість mono- і poly-n-Si, вирощених методом Чохральського. Досліджено вольт-фарадні (ВФХ) та вольт-амперні характеристики (ΒΑΧ) структур, одержаних на основі вихідних зразків і тих, що пройшли ВТО при 900 °С. Встановлено, що ВТО створює систему взаємодіючих парамагнетних центрів, яка найчіткіше проявляється після ВТО зразків при 900 °С. Залежності χ (Tвто) і Hμ (Гвто) немонотонні; максимуми на них спостерігаються при Γ вто = 900 °С. Дослідження ΒΑΧ структур Me-mono-n-Si на основі вихідних зразків показали наявність процесів тунелювання крізь бар 'єр, створений ультратонким шаром атмосферного оксиду. Після ВТО при 900 °С (ВТО-900) має місце збільшення діапазону лінійності ΒΑΧ. Вимірювання ΒΑΧ для структур, виготовлених на основі вихідних зразків poly-n-Si і тих, що пройшли ВТО, показало, що ВТО-900 не впливає на характер цих залежностей.
