Abstract:
Розраховано вплив структурних параметрів напівмагнітних напівпровідникових квантових ям і зов- нішнього магнітного поля на енергетичні рівні та інтенсивності оптичних переходів. Досліджено ефект відштовхування і перетину екситонних рівнів у магнітному полі. Розглянуто систему кванто- вих ям на основі (CdMn)Te. У такій системі спостерігається перетин енергетичних рівнів екситонів, які локалізовані в різних квантових ямах. У цьому разі зростання магнітного поля призводить до зміни локалізації основного екситонного стану з однієї ями до іншої.
Description:
Energy levels and optical transition intensities of direct and indirect excitons in diluted magnetic
semiconductor double quantum wells were calculated as a function of the structure parameters and magnetic
field. The effects arising from magnetic field induced crossing and repulsion of the exciton levels were
investigated. The (CdMn)Te-based structures were studied. In such system the energy level crossing of exciton
localized in the different wells of the structure was found. In this case magnetic field rise leads to the transfer
of the lowest exciton state from one well to another well of the system.
