Зміна мікротвердості кристалів кремнію під впливом магнітного поля
Loading...
Date
2004
Authors
Макара, Володимир.
Кольченко, Юлія.
Науменко, Світлана.
Руденко, Ольга.
Стебленко, Людмила.
Кравченко, Владислав.
Верхова, Людмила.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Abstract
З 'ясовано, що постійне магнітне поле з індукцією В = 0,17 Тл зумовлює зменшення мікротвердості зразків кремнію, а отже, призводить до появи негативного магнітомеханічного ефекту (ММЕ). Характер, величина та час релаксації ММЕ залежать від тривалості магнітного впливу і передісторії зразків кремнію. Показано, що попередня високотемпературна термообробка кристалів кремнію, яка змінює їхній структурний і домішковий стан, здатна змінити також; величину і характер релаксації ММЕ.
Description
The dependence of microhardness of oxidized and unoxidized dislocation-free Si samples on duration of
their exposition to a constant magnetic field is studed. It is established that the magnetomechanical effect
(magnetic-field-induced change in microhardness) becomes stronger in deep (located far from the surface)
layers of silicon. A mechanism which interpretes the detected magnetomechanical effect is proposed.
Keywords
магнітне поле, мікротвердість, кремній, магнітомеханічний ефект
Citation
Зміна мікротвердості кристалів кремнію під впливом магнітного поля / В. А. Макара, Ю. Л. Кольченко, С. М. Науменко, О. В. Руденко, Л. П. Стебленко, В. М. Кравченко, Л. М. Верхова // Наукові записки НаУКМА. - 2004. - Т. 23 : Фізико-математичні науки. - С. 31-36.