Короткий опис(реферат):
З 'ясовано, що постійне магнітне поле з індукцією В = 0,17 Тл зумовлює зменшення мікротвердості зразків кремнію, а отже, призводить до появи негативного магнітомеханічного ефекту (ММЕ). Характер, величина та час релаксації ММЕ залежать від тривалості магнітного впливу і передісторії зразків кремнію. Показано, що попередня високотемпературна термообробка кристалів кремнію, яка змінює їхній структурний і домішковий стан, здатна змінити також; величину і характер релаксації ММЕ.
Суть розробки, основні результати:
The dependence of microhardness of oxidized and unoxidized dislocation-free Si samples on duration of
their exposition to a constant magnetic field is studed. It is established that the magnetomechanical effect
(magnetic-field-induced change in microhardness) becomes stronger in deep (located far from the surface)
layers of silicon. A mechanism which interpretes the detected magnetomechanical effect is proposed.
