Структурна досконалість бездислокаційних нелегованих об'ємних монокристалів Si, призначених для підкладинок при епітаксійному вирощуванні напівпровідникових наноструктур
Loading...
Date
2005
Authors
Баранський, Петро
Гайдар, Галина
Литовченко, Петро
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Abstract
У статті зосереджується увага на аналізі реальних умов, які виникають на межі підкладинки
й епітаксійно нарощуваного шару. Аналіз проводиться з урахуванням того, що підкладинки, при
готовлені навіть з найкраще освоєних матеріалів, до яких, безумовно, можна віднести об'ємні,
бездислокаційні й нелеговані зонновирощені (FZ) монокристали кремнію, неминуче мають у своєму
об'ємі мікродефекти різної природи. Технологічні проблеми, що виникають при епітаксійному нарощуванні моно чи гетерошару на підкладинку, noв'язані з тим, що об 'ємні мікродефекти підкладинки
мають розміри в межах від одиниць до сотень нанометрів і їх слід (проекція) виходить, природно,
на актуальну для епітаксії поверхню, яка розділяє підкладинку з епітаксійно нарощуваним шаром.
Description
This report is devoted to the analysis of real conditions which exist at the boundary of a substrate and
epitaxial grown films. The analysis is made taking into account the fact that substrates prepared from the
best quality material, namely FZSi single crystals, have various microdefects of different nature inside their
volume. Technological problems arising at the epitaxial growth of homo- or heterolayers on a substrate
are caused by the existence of microdefects inside the bulk of the substrate with their dimensions lying in
the range from few units to several hundreds of nm and their projections emerging from the bulk onto the
surface which is actual for the epitaxy and which departs the substrate and epitaxial grown layer.
Keywords
епітаксія поверхні, нанометр, об 'ємні мікродефекти підкладинки
Citation
Баранський Петро Іванович. Структурна досконалість бездислокаційних нелегованих об'ємних монокристалів Si, призначених для підкладинок при епітаксійному вирощуванні напівпровідникових наноструктур / Баранський П. І., Гайдар Г. П., Литовченко П. Г. // Наукові записки НаУКМА : Фізико-математичні науки. - 2005. - Т. 39. - С. 58-63.