Abstract:
Проведено дослідження електропровідності та поздовжнього магнітоопору легованих бором
мікрокристалів Si р-типу провідності в області фазового переходу метал—діелектрик (ПМД)
при накладанні деформації стиску до -4,59-10-3 відн. од. за низьких температур. Для мікрокристалів
Si з концентрацією бору, що відповідає наближенню до ПМД з діелектричного боку,
в яких за низьких температур під дією деформації стиску має місце стрибкова провідність,
виявлено від 'ємний магнітоопір, який за умови достатньо високих магнітних полів переходить
у додатний.
Description:
Conductivity and longitudinal magnetoresistance in boron doped Si whiskers p-type conductivity near
metal-insulator transition (MIT) during compression strain to -4.59-10-3 rel. un. were investigated at
cryogenic temperatures. For Si whiskers with boron concentration from dielectric side of MIT, in which
at low temperatures under action of compression strain hopping conductivity will be realized, it is observed
negative magnetoresistance, which at the enough high magnetic fields passes in positive.
