eKMAIR

Ефекти пам'яті в структурах на основі оксиду гафнію, легованого германієм

Show simple item record

dc.contributor.author Хоменкова, Лариса
dc.date.accessioned 2017-12-19T16:27:26Z
dc.date.available 2017-12-19T16:27:26Z
dc.date.issued 2017
dc.identifier.citation Хоменкова Л. Ю. Ефекти пам'яті в структурах на основі оксиду гафнію, легованого германієм / Хоменкова Л. Ю. // Наукові записки НаУКМА. Природничі науки. - 2017. - Т. 197. - С. 65-73. uk_UA
dc.identifier.uri http://ekmair.ukma.edu.ua/handle/123456789/12363
dc.description.abstract Методами інфрачервоного поглинання та комбінаційного розсіювання світла досліджено вплив режимів термічних обробок на трансформацію оптичних та структурних властивостей шарів оксиду гафнію, легованого германієм, одержаних методом магнетронного напилення. Показано, що при обробках відбувається розділ фаз та утворення нанокристалітів германію. Продемонстровано ефекти пам’яті, які зумовлені присутністю нанокристалітів германію. Визначено оптимальні технологічні умови, що сприяють одержанню максимального ефекту пам’яті. uk_UA
dc.description.abstract The paper addresses the effect of thermal treatment on the transformation of optical and structural properties of thin films of hafnium oxide doped with germanium. The films were grown by magnetron sputtering and investigated with infrared absorption and Raman scattering methods. It was proven that the thermal treatment causes a phase separation process and the formation of germanium nanocrystallites. The presence of germanium nanocrystallites leads to memory effects. The study has determined the optimal technological conditions allowed to achieve the widest memory window. en_US
dc.language.iso uk uk_UA
dc.subject діелектрики uk_UA
dc.subject легування uk_UA
dc.subject розділ фаз uk_UA
dc.subject кластери uk_UA
dc.subject ефект пам’яті uk_UA
dc.subject dielectrics en_US
dc.subject doping en_US
dc.subject phase separation en_US
dc.subject clusters en_US
dc.subject memory effect en_US
dc.title Ефекти пам'яті в структурах на основі оксиду гафнію, легованого германієм uk_UA
dc.title.alternative Memory effects in structures based on hafnium oxide doped with germanium en_US
dc.type Article uk_UA
dc.status first published uk_UA
dc.relation.source Наукові записки НаУКМА: Природничі науки uk_UA


Files in this item

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Search DSpace


Browse

My Account

Statistics