Рудько, Г.2016-12-222016-12-221999Рудько Г. Ю. Неруйнівна фотолюмінесцентна діагностика імплантованого кремнію / Г. Ю. Рудько // Наукові записки НаУКМА. 1999. Т. 9 (2) : Спеціальний випуск. С.289-298.https://ekmair.ukma.edu.ua/handle/123456789/10332The described photoluminescent methods of characterization give information about type and concentration of implanted ligants, in-site or interstitial position of the implanted ions in the lattice, and provide the control of the formation and destruction of radiation defects. Some new results obtained due to these methods application are reviwed.Описані фотолюмінесцентні методики діагностики кремнію, які дозволяють контролювати вид та концентрацію легуючих домішок, аналізувати положення імплантованих іонів у кристалічній Тратці, відслідковувати появу, перетворення та розпад радіаційних дефектів. Наведено огляд деяких нових результатів, отриманих завдяки застосуванню цих методів.ukфотолюмінесцентна діагностикаімплантований кремнійлегуючі домішкирадіаційний дефектНеруйнівна фотолюмінесцентна діагностика імплантованого кремніюNondestructive photoluminescence diagnostics of the implanted siliconArticle