Паньків, Л.Павловський, Ю.Цмоць, ВолодимирВороняк, Я.Лабовка, Д.Лучкевич, М.Петренко, В. В.Хляп, Г.2016-02-162016-02-162004Паньків Л. І., Павловський Ю. В., Лабовка Д. В., Цмоць В. М., Вороняк Я. М., Лучкевич М. М., Петренко В. В., Хляп Г. М. Експериментальне дослідження впливу високотемпературної обробки на магнетні властивості, мікротвердість mono- i poly-n-Si та на електрофізичні характеристики структур на їх основі / Л. І. Паньків, Ю. В. Павловський, Д. В. Лабовка, В. М. Цмоць, Я. М. Вороняк, М. М. Лучкевич, В. В. Петренко, Г. М. Хляп // Наукові записки НаУКМА. - 2004 - Том 23, Фізико-математичні науки. - С. 58-63https://ekmair.ukma.edu.ua/handle/123456789/8404Вивчено вплив високотемпературної обробки (ВТО) β інтервалі температур 650-1100 °С і повторної ВТО при 1150 °С на магнетну сприйнятливість і мікротвердість mono- і poly-n-Si, вирощених методом Чохральського. Досліджено вольт-фарадні (ВФХ) та вольт-амперні характеристики (ΒΑΧ) структур, одержаних на основі вихідних зразків і тих, що пройшли ВТО при 900 °С. Встановлено, що ВТО створює систему взаємодіючих парамагнетних центрів, яка найчіткіше проявляється після ВТО зразків при 900 °С. Залежності χ (Tвто) і Hμ (Гвто) немонотонні; максимуми на них спостерігаються при Γ вто = 900 °С. Дослідження ΒΑΧ структур Me-mono-n-Si на основі вихідних зразків показали наявність процесів тунелювання крізь бар 'єр, створений ультратонким шаром атмосферного оксиду. Після ВТО при 900 °С (ВТО-900) має місце збільшення діапазону лінійності ΒΑΧ. Вимірювання ΒΑΧ для структур, виготовлених на основі вихідних зразків poly-n-Si і тих, що пройшли ВТО, показало, що ВТО-900 не впливає на характер цих залежностей.ukвисокотемпературна обробкаелектрофізична характеристикапарамагнетний центрArticle