Хоменкова, Лариса2017-12-192017-12-192017Хоменкова Л. Ю. Ефекти пам'яті в структурах на основі оксиду гафнію, легованого германієм / Хоменкова Л. Ю. // Наукові записки НаУКМА. Природничі науки. - 2017. - Т. 197. - С. 65-73.https://ekmair.ukma.edu.ua/handle/123456789/12363Методами інфрачервоного поглинання та комбінаційного розсіювання світла досліджено вплив режимів термічних обробок на трансформацію оптичних та структурних властивостей шарів оксиду гафнію, легованого германієм, одержаних методом магнетронного напилення. Показано, що при обробках відбувається розділ фаз та утворення нанокристалітів германію. Продемонстровано ефекти пам’яті, які зумовлені присутністю нанокристалітів германію. Визначено оптимальні технологічні умови, що сприяють одержанню максимального ефекту пам’яті.The paper addresses the effect of thermal treatment on the transformation of optical and structural properties of thin films of hafnium oxide doped with germanium. The films were grown by magnetron sputtering and investigated with infrared absorption and Raman scattering methods. It was proven that the thermal treatment causes a phase separation process and the formation of germanium nanocrystallites. The presence of germanium nanocrystallites leads to memory effects. The study has determined the optimal technological conditions allowed to achieve the widest memory window.ukдіелектрикилегуваннярозділ фазкластериефект пам’ятіdielectricsdopingphase separationclustersmemory effectArticle