Решитько, Борис2015-11-302015-11-302015Решитько Б.А. Механізми розсіювання носіїв заряду в антимоніді індію, легованому хромом, при Т=296 К / Решитько Б. А. // Наукові записки НаУКМА. - 2015. - Т. 165 : Фізико-математичні науки. - С. 53-56.https://ekmair.ukma.edu.ua/handle/123456789/7412Using the table two-parameter Fermi integrals and reviewed the transport phenomena. Calculation of carrier mobility and differential thermo-EMF in crystals of indium antimonide doped with chromium and analyzed the nature of the impurity scattering, depending on changes in the content of impurities ((0,1÷0,25) atm. % Cr).Використовуючи таблицi двопараметричних iнтегралiв Фермi та дослiдивши явища переносу, виконано розрахунок рухливостi носiїв заряду та диференцiальну термо-ЕРС у кристалах антимонiду iндiю, легованих хромом, та проаналiзовано характер домiшкового розсiювання залежно вiд змiни вмiсту домiшки ((0,1÷0,25) ат. % Cr).ukантимонiд iндiюлегуваннямеханiзми розсiюваннярухливiсть носiїв зарядустаттяindium antimonidedopingscatteringcharge carrier mobilityArticle