Верцимаха, Ганна.Лев, Сергій.Сугаков, Володимир.2016-02-162016-02-162004Верцимаха Ганна Михайлівна. Вплив магнітного поля на параметри прямих і непрямих екситонів у системі напівмагнітних квантових ям / Г. В. Верцимаха, С. Б. Лев, В. Й. Сугаков // Наукові записки НаУКМА. - 2004. - Т. 23 : Фізико-математичні науки. - С. 36-39.https://ekmair.ukma.edu.ua/handle/123456789/8349Energy levels and optical transition intensities of direct and indirect excitons in diluted magnetic semiconductor double quantum wells were calculated as a function of the structure parameters and magnetic field. The effects arising from magnetic field induced crossing and repulsion of the exciton levels were investigated. The (CdMn)Te-based structures were studied. In such system the energy level crossing of exciton localized in the different wells of the structure was found. In this case magnetic field rise leads to the transfer of the lowest exciton state from one well to another well of the system.Розраховано вплив структурних параметрів напівмагнітних напівпровідникових квантових ям і зов- нішнього магнітного поля на енергетичні рівні та інтенсивності оптичних переходів. Досліджено ефект відштовхування і перетину екситонних рівнів у магнітному полі. Розглянуто систему кванто- вих ям на основі (CdMn)Te. У такій системі спостерігається перетин енергетичних рівнів екситонів, які локалізовані в різних квантових ямах. У цьому разі зростання магнітного поля призводить до зміни локалізації основного екситонного стану з однієї ями до іншої.ukмагнітне полеекситонквантова ямаоптичний перехідArticle