Дружинін, АнатолійПавловський, Ігор2015-12-222015-12-222006Дружинін Анатолій Олександрович. Деформаційні залежності магнітоопору ниткоподібних кристалів кремнію в області фазового переходу метал-діелектрик / А. О. Дружинін, І. В. Павловський // Наукові записки НаУКМА. - 2006. - Т. 51 : Фізико-математичні науки. - С. 57-61.https://ekmair.ukma.edu.ua/handle/123456789/7612Conductivity and longitudinal magnetoresistance in boron doped Si whiskers p-type conductivity near metal-insulator transition (MIT) during compression strain to -4.59-10-3 rel. un. were investigated at cryogenic temperatures. For Si whiskers with boron concentration from dielectric side of MIT, in which at low temperatures under action of compression strain hopping conductivity will be realized, it is observed negative magnetoresistance, which at the enough high magnetic fields passes in positive.Проведено дослідження електропровідності та поздовжнього магнітоопору легованих бором мікрокристалів Si р-типу провідності в області фазового переходу метал—діелектрик (ПМД) при накладанні деформації стиску до -4,59-10-3 відн. од. за низьких температур. Для мікрокристалів Si з концентрацією бору, що відповідає наближенню до ПМД з діелектричного боку, в яких за низьких температур під дією деформації стиску має місце стрибкова провідність, виявлено від 'ємний магнітоопір, який за умови достатньо високих магнітних полів переходить у додатний.ukдослідження електропровідностіперехід метал—діелектрикПМДдеформаційні залежностіlongitudinal magnetoresistancemetal-insulator transitionArticle