Макара, Володимир.Кольченко, Юлія.Науменко, Світлана.Руденко, Ольга.Стебленко, Людмила.Кравченко, Владислав.Верхова, Людмила.2016-02-112016-02-112004Зміна мікротвердості кристалів кремнію під впливом магнітного поля / В. А. Макара, Ю. Л. Кольченко, С. М. Науменко, О. В. Руденко, Л. П. Стебленко, В. М. Кравченко, Л. М. Верхова // Наукові записки НаУКМА. - 2004. - Т. 23 : Фізико-математичні науки. - С. 31-36.https://ekmair.ukma.edu.ua/handle/123456789/8317The dependence of microhardness of oxidized and unoxidized dislocation-free Si samples on duration of their exposition to a constant magnetic field is studed. It is established that the magnetomechanical effect (magnetic-field-induced change in microhardness) becomes stronger in deep (located far from the surface) layers of silicon. A mechanism which interpretes the detected magnetomechanical effect is proposed.З 'ясовано, що постійне магнітне поле з індукцією В = 0,17 Тл зумовлює зменшення мікротвердості зразків кремнію, а отже, призводить до появи негативного магнітомеханічного ефекту (ММЕ). Характер, величина та час релаксації ММЕ залежать від тривалості магнітного впливу і передісторії зразків кремнію. Показано, що попередня високотемпературна термообробка кристалів кремнію, яка змінює їхній структурний і домішковий стан, здатна змінити також; величину і характер релаксації ММЕ.ukмагнітне полемікротвердістькремніймагнітомеханічний ефектArticle