Механізми розсіювання носіїв заряду в антимоніді індію, легованому хромом, при Т=296 К

Loading...
Thumbnail Image
Date
2015
Authors
Решитько, Борис
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Abstract
Використовуючи таблицi двопараметричних iнтегралiв Фермi та дослiдивши явища переносу, виконано розрахунок рухливостi носiїв заряду та диференцiальну термо-ЕРС у кристалах антимонiду iндiю, легованих хромом, та проаналiзовано характер домiшкового розсiювання залежно вiд змiни вмiсту домiшки ((0,1÷0,25) ат. % Cr).
Description
Using the table two-parameter Fermi integrals and reviewed the transport phenomena. Calculation of carrier mobility and differential thermo-EMF in crystals of indium antimonide doped with chromium and analyzed the nature of the impurity scattering, depending on changes in the content of impurities ((0,1÷0,25) atm. % Cr).
Keywords
антимонiд iндiю, легування, механiзми розсiювання, рухливiсть носiїв заряду, стаття, indium antimonide, doping, scattering, charge carrier mobility
Citation
Решитько Б.А. Механізми розсіювання носіїв заряду в антимоніді індію, легованому хромом, при Т=296 К / Решитько Б. А. // Наукові записки НаУКМА. - 2015. - Т. 165 : Фізико-математичні науки. - С. 53-56.