Функціоналізація поверхні текстурованих пластин кремнію багатошаровими вуглецевими нанотрубками

Abstract

Здійснено ефективну функціоналізацію поверхні текстурованих пластин кремнію багатошаровими вуглецевими нанотрубками (нітроген- та оксигенвмісними) двома методами – із використанням поліетиленіміну та карбодііміду. Щільність нанесення ВНТ на пірамідальну структуру кремнію за допомогою поліетиленіміну є більшою, ніж з карбодіімідом. Отримано вольт-амперну характеристику модифікованого ВНТ і вихідного текстурованого кремнію. Показано, що для модифікованого ВНТ кремнію сила струму зростає при менших, ніж для вихідного текстурованого кремнію, значеннях напруги (40 та 60 мВ відповідно), що свідчить про високу емісію електронів із ВНТ. Таким чином, покриття поверхні текстурованих кремнієвих пластин ВНТ покращує їхню ефективність як елементу фотоелектричного перетворювача.

Effective functionalization of the textured silicon wafers surface by multilayer carbon nanotubes (Nitrohen- and Оxygenation containing) by two methods – using polyethyleneimine and carbodiimide was carried out. The density of CNT deposition on silicon pyramid structure using polyethyleneimine is larger than carbodiimide. Current-voltage characteristics of initial textured and modified by carbon nanotubes silicon were obtained. It was shown that CNT modified silicon amperage increases at less than the original textured silicon Voltage (40 and 60 mV, respectively), indicating a high electron emission from carbon nanotubes. Thus, the coating of textured silicon wafers by carbon nanotubes improves their effectiveness as part of the photoelectric converter.