Theoretical modeling of the excitation and propagation of surface phonon (plas monphonon) polaritons in MgxZrij_xO/6H-SiC structure was performed using a multi-oscillator model, which takes into account the additive contribution of the phonon and plasmon-pho- non subsystem parameters to the dielectric permittivity of the material. The simulation was carried out for both Mg^n^O films and 6H-SiC substrates with different free carrier concentrations. It was determined the frequency windows where surface polaritons of different types can be excited. The dispersion dependences for Мд^п^О/бН-SiC structure were obtained taking into account the interaction of the phonon and plas mon-phonon subsystems of the film and the substrate. A three-dimensional representation of reflection coefficient of this structure was constructed.
Теоретично досліджено можливість збудження та розповсюдження поверхневих фононних (плазмон-фононних) поляритонів у структурі MgxZnj_xO/6H-SiC. Використано модель з багатьма осциляторами, яка враховує адитивний вклад параметрів фононної та плазмон-фононної підсистем у діелектричну проникність матеріалу. Розрахунки проведено як для плівок MgxZnj_xO, так і для підкладок 6H-SiC з різною концентрацією вільних носіїв. Виявлено частотні вікна, в яких можуть збуджуватися поверхневі поляритони різного типу. Одержано дисперсійні залежності для вказаної структури за врахування взаємодії фононної та плазмон-фононної підсистем плівки та підкладки, побудовано поверхню порушеного повного внутрішнього відбивання, яка являє собою тривимірне подання коефіцієнта відбивання зазначеної вище структури.
Теоретически исследована возможность возбуждения и распространения поверхностных фононных (плазмон-фононных) поляритонов в структуре MgxZnj_xO/6H-SiC. Использована многоосцилляторная модель, которая учитывает аддитивный вклад параметров фононной и плазмон-фононной подсистем в диэлектрическую проницаемость материала. Расчеты проведены как для пленок MgxZnj_xO, так и для подложек 6H-SiC с разной концентрацией свободных носителей. Выявлены частотные окна, в которых могут возбуждаться поверхностные поляритоны различного типа. Получены дисперсионные зависимости для указанной структуры с учетом взаимодействия фононной и плазмон-фононной подсистем пленки и подложки, построена поверхность нарушенного полного внутреннего отражения, которая представляет собой трехмерное представление коэффициента отражения структуры MgxZnj_xO/6H-SiC.
