eKMAIR

Вплив упорядкування домішки на енергетичний спектр та електропровідність графену

Show simple item record

dc.contributor.author Репецький, Станіслав
dc.contributor.author Вишивана, Ірина
dc.contributor.author Кручинін, Сергій
dc.contributor.author Кузнєцова, Олена
dc.contributor.author Мельник, Руслан
dc.date.accessioned 2020-10-01T19:57:19Z
dc.date.available 2020-10-01T19:57:19Z
dc.date.issued 2019
dc.identifier.citation Вплив упорядкування домішки на енергетичний спектр та електропровідність графену / С. П. Репецький, І. Г. Вишивана, С. П. Кручинін, О. Я. Кузнєцова, Р. М. Мельник // Металофізика та новітні технології. - 2019. - Т. 41, Вип. 4. - С. 427-443. uk_UA
dc.identifier.uri https://doi.org/10.15407/mfint.41.04.0427
dc.identifier.uri http://ekmair.ukma.edu.ua/handle/123456789/18071
dc.description.abstract В однозонній моделі сильного зв’язку досліджено вплив домішки заміщення на енергетичний спектр та електропровідність графену. Встанов- лено, що впорядкування атомів заміщення на вузлах кристалічної гратки приводить до виникнення щілини в енергетичному спектрі графену шириною η|δ| з центром в точці yδ, де η — параметр впорядкування, δ — різниця потенціалів розсіяння атомів домішки і вуглецю, y — концентрація домішки. Якщо рівень Фермі потрапляє в область зазначеної щілини, то при упорядкуванні графену електропровідність σαα → ∞, тобто виникає перехід метал–діелектрик. Якщо рівень Фермі лежить поза щілиною, то при збільшенні параметру порядку η електропровідність збільшується за законом σαα ∼ (y2 − (1/4)η2)−1. При концентрації y = 1/2 з впорядкуванням атомів домішки (η → 1) електропровідність графену σαα → ∞, тобто виникає перехід графену в стан ідеальної провідності. Досліджено області ло- калізації електронних домішкових станів, які виникають на краях спектру та краях енергетичної щілини. uk_UA
dc.description.abstract In the one-band tight-binding model, the influence of substitutional impurities on the energy spectrum and electrical conductivity of graphene is studied. As determined, the ordering of substitutional impurity atoms on nodes of the crystal lattice causes the appearance of a gap in the energy spectrum of graphene with width η|δ| centred at the point yδ, where η is the parameter of ordering, δ is the difference of the scattering potentials of impurity and carbon atoms, and y is the impurity concentration. If the Fermi level falls in the region of the mentioned gap, then the electrical conductivity σαα → ∞ at the ordering of graphene, i.e., the metal–dielectric transition arises. If the Fermi level is located outside the gap, then the electrical conductivity increases with the parameter of order η by the relation σαα ∼ (y2 − (1/4)η2) −1. At the concentration y = 1/2, when the ordering of impurities η → 1, the electrical conductivity of graphene σαα → ∞, i.e., the transition of graphene in the state of ideal electrical conductance arises. The localization region of impurity electronic states, which arise at the edges of the spectrum and edges of the energy gap, is investigated. en_US
dc.description.abstract В однозонной модели сильной связи исследовано влияние примеси замещения на энергетический спектр и электропроводность графена. Установлено, что упорядочение атомов замещения на узлах кристаллической решётки приводит к возникновению щели в энергетическом спектре графена шириной η|δ| с центром в точке yδ, где η — параметр упорядочения, δ — разность потенциалов рассеяния атомов примеси и углерода, y — концентрация примеси. Если уровень Ферми попадает в область указанной щели, то при упорядочении графена электропроводность σαα → ∞, т.е. возникает переход металл–диэлектрик. Если уровень Ферми находится вне щели, то при увеличении параметра порядка η электропроводность возрастает по закону σαα ∼ (y2 − (1/4)η2) −1 . При концентрации y = 1/2 с упорядочением атомов примеси (η → 1) электропроводность графена σαα → → ∞, т.е. графен переходит в состояние идеальной проводимости. Исследована область локализации электронных примесных состояний, которые возникают на краях спектра и энергетической щели. ru_RU
dc.language.iso uk uk_UA
dc.subject графен uk_UA
dc.subject енергетична щілина uk_UA
dc.subject густина станів uk_UA
dc.subject концентрація домішки uk_UA
dc.subject параметр впорядкування uk_UA
dc.subject функція Гріна uk_UA
dc.subject перехід метал – діелектрик uk_UA
dc.subject область локалізації електронних домішкових станів uk_UA
dc.subject стаття uk_UA
dc.subject graphene en_US
dc.subject energy gap en_US
dc.subject density of state en_US
dc.subject impurity concentration en_US
dc.subject ordering parameter en_US
dc.subject Green’s function en_US
dc.subject metal–insulator transition en_US
dc.subject region of localization of impurity electronic states en_US
dc.subject графен ru_RU
dc.subject энергетическая щель ru_RU
dc.subject концентрация примеси ru_RU
dc.subject параметр упорядочения ru_RU
dc.subject функция Грина ru_RU
dc.subject переход металл–диэлектрик ru_RU
dc.subject область локализации электронных примесных состояний ru_RU
dc.title Вплив упорядкування домішки на енергетичний спектр та електропровідність графену uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status first published uk_UA
dc.relation.source Металофізика та новітні технології. uk_UA


Files in this item

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Search DSpace


Browse

My Account

Statistics