Набухання наповненого високодисперсними кремнеземами 2-гідроксіетилметакрилату

Loading...
Thumbnail Image
Date
2004
Authors
Больбух, Ю.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Abstract
Досліджено вплив природи поверхні наповнювача на структуроутворення в композиціях на основі 2-гідроксіетилметакрилату, що були синтезовані радикальною полімеризацією, ініційованою акриламідним комплексом нітрату кобальту, або при нагріванні в присутності вихідного та гідридвмісного кремнеземних наповнювачів методом набухання. Структуру матеріалів характеризували шляхом визначення максимального ступеня набухання матеріалів у воді та етанолі, золь- та гель-фракцій, молекулярної маси сегмента між зшивками. Встановлено, що поверхневі кремнієгідридні групи сприяють структуруванню в композиціях, проте їхній вплив має складний характер. Структуроутворення в наповненому полімері визначається силою взаємодії полімер-наповнювач (ковалентні зв'язки та адсорбція компонентів системи).
Effect of filler surface nature on cross-linking of 2-hydroxyethylmethacrylate composites obtained by radical polymerization initiated by acrylamid complex of cobalt nitrate or at heating in the presence of starting and hydride-containing silicas has been investigated by swelling method. The structure of materials was characterized by maximum degree of swelling in water and ethanol, sol-gel fraction and molecular weight of polymer segment. The presence of silicon-hydride groups on the filler surface has been found to promote the formation of polymer network structure but their effect has complicated character. The composite cross-linking is determined by strength of the filler-polymer interaction (covalent bonds and adsorption of the system components).
Description
Keywords
наповнювач, 2-гідроксіетилметакрилат, кремнеземи, стаття
Citation
Больбух Ю. М. Набухання наповненого високодисперсними кремнеземами 2-гідроксіетилметакрилату / Ю. М. Больбух // Маґістеріум. Вип. 16. Природничі науки / Національний університет "Києво-Могилянська академія". - 2004. - С. 71-74.